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高容量SSD揭幕美光东芝新帝抢进128GBTLC芯片OFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-05 22:22:10 阅读: 来源:臭味剂厂家

高容量SSD揭幕!美光、东芝、新帝抢进128GB TLC芯片 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:美光(Micron)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)旗下16纳米和15纳米制程不但放量,生产蓝图也朝128GB容量TLC型NAND Flash芯片规划,带动整个大容量固态硬盘(SSD)商机大爆发。 美光宣示,16纳米制程的TLC型NAND Flash芯片正式进入量产,将是2015年消费性产品的主力零组件;再者,东芝和新帝的15纳米制程在生产初期频传出良率不佳,也传出新帝因此遭到苹果 (Apple)从供应商中剔除,但经过1~2季努力,15纳米制程已上轨道,目前已先在自家产品中采用,预计第3季可大量供应给客户做生产。 美光、东芝、新帝的16纳米和15纳米制程NAND Flash芯片规划,都以128GB容量TLC型NAND Flash芯片,取代过去的64GB芯片,这也象征大容量SSD时代来临。 美光16纳米制程的TLC型NAND Flash芯片已获得多家合作伙伴导入和技术支援,包括创见、慧荣和希捷(Seagate)。 美光储存事业部行销总监Kevin Kilbuck表示,16纳米TLC型NAND Flash技术可满足市场对于可靠的高容量储存装置持续提升的需求,将是2015年消费性应用的最佳解决方案,2016年将朝生产3D NAND型的TLC芯片迈进。 据美光蓝图规划,目前美光生产的NAND Flash芯片中,采用16纳米制程技术的比重超过50%,包含SLC/MLC/TLC型NAND Flash芯片,预计 2015年第4季将量产3D NAND技术,新加坡厂将是3D NAND生产基地,日前也投资40亿美元强化技术。 美光指出,新TLC型NAND是使用16纳米制程技术,可用在随身碟、SSD等产品上,取得价格和效能的平衡,从2015年开始,对于TLC型NAND需求会大步提升,光是10亿位元的NAND存储器,总出货量就约占快闪存储器产品市场的50%。 东芝和新帝阵营中,是从19纳米制程转到15纳米制程NAND Flash技术上,在转进15纳米制程过程中,传出良率不佳问题,由于新帝后来被苹果剔除于供应链之外,传出与15纳米制程良率问题有关。但此问题陆续获 得解决,15纳米制程已经陆续用于东芝和新帝自己的产品中,预计第3季会在市场上大量供货。

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